5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.15 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-226 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDF60N360U1 | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET |
|
| NDF60N360U1G | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET |
|
| NDF60N550U1 | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET |
|
| NDF60N550U1G | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET |
|
| NDF653 | DYNEX |
获取价格 |
Fast Recovery Diode |
|
| NDF65310 | DYNEX |
获取价格 |
Fast Recovery Diode |
|
| NDF65312 | DYNEX |
获取价格 |
Fast Recovery Diode |
|
| NDF65314 | DYNEX |
获取价格 |
Fast Recovery Diode |
|
| NDF65316 | DYNEX |
获取价格 |
Fast Recovery Diode |
|
| NDF7000A | NSC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
