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NDF206BL

更新时间: 2024-02-08 16:08:00
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 54K
描述
1800mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226

NDF206BL 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.84
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (ID):1.8 A最大漏源导通电阻:0.15 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-226
JESD-30 代码:O-PBCY-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

NDF206BL 数据手册

  

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