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NDF10N60ZG PDF预览

NDF10N60ZG

更新时间： 2024-02-14 12:12:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲PC局域网
页数 文件大小 规格书
6页 129K
描述
N-Channel Power MOSFET 0.65 Ω, 600 Volts

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NDF10N60ZG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：TO-220AB包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 221AH-01, TO-220, FULL PACK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.97雪崩能效等级（Eas）：300 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：10 A
最大漏极电流 (ID)：6 A最大漏源导通电阻：0.75 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：39 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NDF10N60ZG 数据手册

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NDF10N60Z, NDP10N60Z  
N-Channel Power MOSFET  
0.65 W, 600 Volts  
Features  
• Low ON Resistance  
• Low Gate Charge  
• Zener Diode−protected Gate  
• 100% Avalanche Tested  
• ROHS Compliant  
http://onsemi.com  
V
R
DS(ON)  
(TYP) @ 5 A  
DSS  
• This is a Pb−Free Device  
Applications  
600 V  
0.65 Ω  
• Adapter (Notebook, Printer, Gaming)  
• LCD Panel Power  
N−Channel  
• ATX Power Supplies  
• Lighting Ballasts  
D (2)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Symbol NDF10N60Z NDP10N60Z Unit  
G (1)  
Drain−to−Source Voltage  
Continuous Drain Current  
Continuous Drain Current  
V
600 (Note 1)  
10 (Note 2)  
5.7 (Note 2)  
V
A
A
DSS  
I
D
I
D
S (3)  
TO−220FP  
CASE 221D  
STYLE 1  
T = 100°C  
A
Pulsed Drain Current,  
I
36 (Note 2)  
A
MARKING  
DIAGRAM  
DM  
V
GS  
@ 10 V  
Power Dissipation (Note 1)  
P
36  
125  
W
V
D
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
30  
Single Pulse Avalanche  
Energy, L = 6.0 mH,  
E
300  
mJ  
AS  
NDF10N60ZG  
or  
NDP10N60ZG  
AYWW  
I
D
= 10 A  
ESD (HBM)  
(JESD 22−114−B)  
V
esd  
3900  
V
V
RMS Isolation Voltage  
(t = 0.3 sec., R.H. ≤ 30%,  
T = 25°C) (Figure 13)  
A
V
ISO  
4500  
Gate  
Source  
TO−220AB  
CASE 221A  
STYLE 5  
Peak Diode Recovery  
dv/dt  
4.5 (Note 3)  
10  
V/ns  
A
Drain  
Continuous Source  
I
S
Current (Body Diode)  
A
Y
WW  
G
= Location Code  
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Maximum Temperature for  
Soldering Leads, 0.063″  
(1.6 mm) from Case for  
10 s Package Body for 10 s  
T
300  
260  
°C  
L
T
PKG  
Operating Junction and  
T , T  
−55 to 150  
°C  
J
stg  
Storage Temperature Range  
ORDERING INFORMATION  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
Device  
Package  
TO−220FP  
TO−220AB  
Shipping  
NDF10N60ZG  
NDP10N60ZG  
50 Units/Rail  
1. Surface mounted on FR4 board using 1″ sq. pad size, 1 oz cu  
In Development  
2. Limited by maximum junction temperature  
3. I ≤ 10 A, di/dt ≤ 200 A/ms, V = 80% BV  
S
DD  
DSS  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
May, 2009 − Rev. 1  
NDF10N60Z/D  
 
123456

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NDF10N60ZG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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