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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | End Of Life |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, CASE 221A-09, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.73 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 113 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 620 V | 最大漏极电流 (ID)： | 6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDF08N50Z | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET 500 V, 0.69 |
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| NDF08N50ZG | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET 500 V, 0.69 |
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| NDF08N50ZH | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，500V，7.5A，0.850Ω，单 N 沟道，TO-220FP |
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| NDF08N60Z | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET 600 V, 0.95 Ω |
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| NDF08N60ZG | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET 600 V, 0.95 Ω |
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| NDF10N60Z | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET 0.65 Ω, 600 Volts |
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| NDF10N60ZG | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET 0.65 Ω, 600 Volts |
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| NDF10N60ZH | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET 600 V, 0.75 Ohm |
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| NDF10N62Z | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET 620 V, 0.65 Ω |
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| NDF10N62ZG | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET 620 V, 0.65 Ω |
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