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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NDF10N60ZH
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NDF10N60ZH

更新时间： 2024-09-28 12:27:07
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 119K
描述
N-Channel Power MOSFET 600 V, 0.75 Ohm

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NDF10N60ZH 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：TO-220AB包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 221AH-01, TO-220, FULL PACK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.97雪崩能效等级（Eas）：300 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：10 A
最大漏极电流 (ID)：6 A最大漏源导通电阻：0.75 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：39 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NDF10N60ZH 数据手册

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NDF10N60Z  
N-Channel Power MOSFET  
600 V, 0.75 W  
Features  
• Low ON Resistance  
• Low Gate Charge  
• ESD Diode−Protected Gate  
• 100% Avalanche Tested  
http://onsemi.com  
V
DSS  
(@ T  
)
R
(MAX) @ 5 A  
DS(ON)  
• 100% R Tested  
Jmax  
g
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
650 V  
0.75 Ω  
Compliant  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
N−Channel  
Rating  
Drain−to−Source Voltage  
Continuous Drain Current, R  
Continuous Drain Current  
Symbol  
NDF  
600  
10  
Unit  
V
D (2)  
V
DSS  
(Note 1)  
I
D
I
D
A
q
JC  
6.0  
A
T = 100°C, R  
(Note 1)  
q
JC  
A
G (1)  
Pulsed Drain Current,  
= 10 ms  
I
40  
A
DM  
t
P
Power Dissipation, R  
P
39  
30  
W
V
q
JC  
D
S (3)  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
Single Pulse Avalanche Energy  
E
AS  
300  
mJ  
(L = 6.0 mH, I = 10 A)  
D
ESD (HBM) (JESD22−A114)  
V
3900  
4500  
V
V
esd  
RMS Isolation Voltage  
V
ISO  
(t = 0.3 sec., R.H. ≤ 30%,  
T = 25°C) (Figure 13)  
A
Peak Diode Recovery (Note 2)  
dv/dt  
4.5  
10  
V/ns  
A
Continuous Source Current (Body Diode)  
I
S
1
1
2
2
3
3
Maximum Temperature for  
Soldering Leads  
T
260  
°C  
L
NDF10N60ZG  
TO−220FP  
CASE 221D  
NDF10N60ZH  
TO−220FP  
CASE 221AH  
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to 150  
°C  
J
stg  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
ORDERING AND MARKING INFORMATION  
See detailed ordering, marking and shipping information in the  
package dimensions section on page 6 of this data sheet.  
1. Limited by maximum junction temperature.  
2. I ≤ 10 A, di/dt ≤ 200 A/ms, V = 80% BV  
S
DD  
DSS  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2012  
1
Publication Order Number:  
February, 2012 − Rev. 10  
NDF10N60Z/D  
 
12345678

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NDF10N60ZH 替代型号

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