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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NDF08N50ZG
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NDF08N50ZG

更新时间： 2024-02-29 14:28:05
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 137K
描述
N-Channel Power MOSFET 500 V, 0.69 

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NDF08N50ZG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：TO-220AB包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-220FP, CASE 221D-03, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.18Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：190 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：8.5 A最大漏极电流 (ID)：7.5 A
最大漏源导通电阻：0.85 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：35 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NDF08N50ZG 数据手册

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NDF08N50Z, NDP08N50Z  
N-Channel Power MOSFET  
500 V, 0.69 W  
Features  
• Low ON Resistance  
• Low Gate Charge  
http://onsemi.com  
• 100% Avalanche Tested  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
V
DSS  
R
(TYP) @ 3.6 A  
DS(ON)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
500 V  
0.69 W  
Rating  
Symbol NDF08N50Z NDP08N50Z Unit  
Drain−to−Source Voltage  
V
500  
7.5 (Note 1)  
V
A
DSS  
N−Channel  
Continuous Drain Current  
R
I
D
7.5  
4.7  
30  
D (2)  
q
JC  
Continuous Drain Current  
I
D
4.7 (Note 1)  
30 (Note 1)  
31  
A
A
R
q
JC  
T = 100°C  
A
Pulsed Drain Current,  
@ 10 V  
I
DM  
G (1)  
V
GS  
Power Dissipation  
P
125  
W
V
D
Gate−to−Source Voltage  
Single Pulse Avalanche  
V
30  
GS  
S (3)  
TO−220FP  
CASE 221D  
STYLE 1  
E
190  
mJ  
AS  
Energy, I = 7.5 A  
MARKING  
DIAGRAM  
D
ESD (HBM)  
(JESD 22−A114)  
V
3500  
V
V
esd  
RMS Isolation Voltage  
V
4500  
ISO  
(t = 0.3 sec., R.H. ≤ 30%,  
T = 25°C) (Figure 14)  
A
NDF08N50ZG  
or  
NDP08N50ZG  
AYWW  
Peak Diode Recovery  
dv/dt  
4.5  
7.5  
V/ns  
A
Continuous Source  
Current (Body Diode)  
I
S
Maximum Temperature for  
Soldering Leads  
T
260  
°C  
°C  
Gate  
Source  
L
TO−220AB  
CASE 221A  
STYLE 5  
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to 150  
J
stg  
Drain  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
A
Y
WW  
G
= Location Code  
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
1. Limited by maximum junction temperature  
2. I = 7.5 A, di/dt ≤ 100 A/ms, V ≤ BV  
, T = +150°C  
J
SD  
DD  
DSS  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
TO−220FP  
TO−220AB  
Shipping  
NDF08N50ZG  
NDP08N50ZG  
50 Units/Rail  
In Development  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
April, 2010 − Rev. 1  
NDF08N50Z/D  
 
123456

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NDF08N50ZG 替代型号

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