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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | End Of Life |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 221AH, TO-220FP, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.2 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 420 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A | 最大漏极电流 (ID)： | 12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.52 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 39 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 44 A |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NDF11N50ZG | ONSEMI |
类似代替  |
N-Channel Power MOSFET 500 V, 0.52 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDF206AL | TI |
获取价格 |
2000mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226 |
|
| NDF206BL | TI |
获取价格 |
1800mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226 |
|
| NDF60N360U1 | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET |
|
| NDF60N360U1G | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET |
|
| NDF60N550U1 | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET |
|
| NDF60N550U1G | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET |
|
| NDF653 | DYNEX |
获取价格 |
Fast Recovery Diode |
|
| NDF65310 | DYNEX |
获取价格 |
Fast Recovery Diode |
|
| NDF65312 | DYNEX |
获取价格 |
Fast Recovery Diode |
|
| NDF65314 | DYNEX |
获取价格 |
Fast Recovery Diode |
|
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