是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-220AB | 包装说明: | ROHS COMPLIANT, CASE 221A-09, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.81 |
雪崩能效等级(Eas): | 300 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 620 V |
最大漏极电流 (ID): | 10 A | 最大漏源导通电阻: | 0.75 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 36 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NDF10N62ZG | ONSEMI |
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N-Channel Power MOSFET 620 V, 0.65 Ω | |
NDF11N50Z | ONSEMI |
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N-Channel Power MOSFET 500 V, 0.52 | |
NDF11N50ZG | ONSEMI |
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N-Channel Power MOSFET 500 V, 0.52 | |
NDF11N50ZH | ONSEMI |
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N-Channel Power MOSFET 500 V, 0.52 Ohm | |
NDF206AL | TI |
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2000mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226 | |
NDF206BL | TI |
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1800mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226 | |
NDF60N360U1 | ONSEMI |
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N-Channel Power MOSFET | |
NDF60N360U1G | ONSEMI |
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N-Channel Power MOSFET | |
NDF60N550U1 | ONSEMI |
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N-Channel Power MOSFET | |
NDF60N550U1G | ONSEMI |
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N-Channel Power MOSFET |