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NDF10N62ZG

更新时间： 2024-02-20 03:34:16
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
6页 134K
描述
N-Channel Power MOSFET 620 V, 0.65 Ω

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NDF10N62ZG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：ROHS COMPLIANT, CASE 221A-09, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.81
雪崩能效等级（Eas）：300 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：620 V
最大漏极电流 (ID)：10 A最大漏源导通电阻：0.75 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：36 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

NDF10N62ZG 数据手册

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NDF10N62Z, NDP10N62Z  
N-Channel Power MOSFET  
620 V, 0.65 W  
Features  
• Low ON Resistance  
• Low Gate Charge  
http://onsemi.com  
• Zener Diode−protected Gate  
• 100% Avalanche Tested  
• These Devices are Pb−Free and RoHS Compliant  
V
R
(TYP) @ 5 A  
DS(ON)  
DSS  
620 V  
0.65 Ω  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Symbol NDF10N62Z NDP10N62Z Unit  
N−Channel  
Drain−to−Source Voltage  
V
620 (Note 1)  
10 (Note 2)  
V
A
D (2)  
DSS  
Continuous Drain Current,  
R
I
D
q
JC  
Continuous Drain Current  
I
5.7 (Note 2)  
36 (Note 2)  
A
A
D
R
q
JC  
, T = 100°C  
A
G (1)  
Pulsed Drain Current,  
@ 10 V  
I
DM  
V
GS  
Power Dissipation, R  
(Note 1)  
P
36  
125  
W
q
JC  
D
S (3)  
TO−220FP  
CASE 221D  
STYLE 1  
MARKING  
DIAGRAM  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
30  
V
Single Pulse Avalanche  
E
AS  
300  
mJ  
Energy, I = 10 A  
D
ESD (HBM)  
(JESD22−A114)  
V
3900  
V
V
esd  
RMS Isolation Voltage  
V
ISO  
4500  
NDF10N62ZG  
or  
NDP10N62ZG  
AYWW  
(t = 0.3 sec., R.H. ≤ 30%,  
T = 25°C) (Figure 14)  
A
Peak Diode Recovery  
dv/dt  
4.5 (Note 3)  
10  
V/ns  
A
Gate  
Source  
Continuous Source  
Current (Body Diode)  
I
S
TO−220AB  
CASE 221A  
STYLE 5  
Maximum Temperature for  
Soldering Leads  
T
L
260  
°C  
°C  
Drain  
Operating Junction and  
T , T  
−55 to 150  
J
stg  
Storage Temperature Range  
A
Y
WW  
G
= Location Code  
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface mounted on FR4 board using 1″ sq. pad size,  
(Cu area = 1.127 in sq [2 oz] including traces)  
2. Limited by maximum junction temperature  
ORDERING INFORMATION  
3. I ≤ 10 A, di/dt ≤ 200 A/ms, V = 80% BV  
S
DD  
DSS  
Device  
Package  
TO−220FP  
TO−220AB  
Shipping  
NDF10N62ZG  
NDP10N62ZG  
50 Units/Rail  
In Development  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
April, 2010 − Rev. 0  
NDF10N62Z/D  
 
123456

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