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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NDF06N62Z
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NDF06N62Z

更新时间： 2024-01-15 14:07:12
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
6页 134K
描述
N-Channel Power MOSFET 620 V, 0.98 ,

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NDF06N62Z 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：TO-220AB包装说明：ROHS COMPLIANT, CASE 221A-09, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.73
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：113 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：620 V最大漏极电流 (ID)：6 A
最大漏源导通电阻：1.2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NDF06N62Z 数据手册

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NDF06N62Z, NDP06N62Z  
N-Channel Power MOSFET  
620 V, 0.98 W,  
Features  
• Low ON Resistance  
• Low Gate Charge  
http://onsemi.com  
• 100% Avalanche Tested  
• These Devices are Pb−Free and RoHS Compliant  
V
DSS  
R
(TYP) @ 3 A  
DS(ON)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
620 V  
0.98 Ω  
Rating  
Symbol NDF06N62Z NDP06N62Z Unit  
Drain−to−Source Voltage  
V
620  
V
A
DSS  
Continuous Drain Current  
R
I
D
6.0 (Note 1)  
N−Channel  
q
JC  
D (2)  
Continuous Drain Current  
I
3.8 (Note 1)  
20 (Note 1)  
A
A
D
R
q
JC  
, T = 100°C  
A
Pulsed Drain Current,  
@ 10 V  
I
DM  
V
GS  
G (1)  
Power Dissipation R  
P
31  
113  
W
V
q
JC  
D
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
30  
Single Pulse Avalanche  
E
AS  
113  
mJ  
S (3)  
Energy, I = 6.0 A  
D
TO−220FP  
CASE 221D  
STYLE 1  
ESD (HBM)  
(JESD 22−A114)  
V
3000  
V
V
esd  
MARKING  
DIAGRAM  
RMS Isolation Voltage  
V
ISO  
4500  
−
(t = 0.3 sec., R.H. ≤ 30%,  
T = 25°C) (Figure 14)  
A
Peak Diode Recovery  
dv/dt  
4.5 (Note 2)  
V/ns  
A
Continuous Source  
I
S
6.0  
Current (Body Diode)  
NDF06N62ZG  
or  
NDP06N62ZG  
AYWW  
Maximum Temperature for  
Soldering Leads  
T
260  
°C  
°C  
L
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to 150  
J
stg  
Gate  
Source  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
TO−220AB  
CASE 221A  
STYLE 5  
Drain  
1. Limited by maximum junction temperature  
A
Y
= Location Code  
= Year  
2. I = 6.0 A, di/dt ≤ 100 A/ms, V ≤ BV  
, T = +150°C  
J
SD  
DD  
DSS  
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping  
50 Units/Rail  
NDF06N62ZG  
TO−220FP  
(Pb−Free)  
NDP06N62ZG  
TO−220AB  
(Pb−Free)  
50 Units/Rail  
In Development  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
April, 2010 − Rev. 0  
NDF06N62Z/D  
 
123456

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与NDF06N62Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDF06N62ZG ONSEMI

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 		N-Channel Power MOSFET 620 V, 0.98 ,
NDF08N50Z ONSEMI

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 		N-Channel Power MOSFET 500 V, 0.69 
NDF08N50ZG ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET 500 V, 0.69 
NDF08N50ZH ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，500V，7.5A，0.850Ω，单 N 沟道，TO-220FP
NDF08N60Z ONSEMI

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 		N-Channel Power MOSFET 600 V, 0.95 Ω
NDF08N60ZG ONSEMI

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NDF10N60Z ONSEMI

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 		N-Channel Power MOSFET 0.65 Ω, 600 Volts
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 		N-Channel Power MOSFET 600 V, 0.75 Ohm
NDF10N62Z ONSEMI

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 		N-Channel Power MOSFET 620 V, 0.65 Ω

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