生命周期: | Active | 包装说明: | , 0606 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.66 | Is Samacsys: | N |
电容: | 0.00056 µF | 电容器类型: | CERAMIC CAPACITOR |
介电材料: | CERAMIC | 高度: | 0.25 mm |
长度: | 1.524 mm | 负容差: | 20% |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装形式: | SMT |
包装方法: | Waffle Pack | 正容差: | 20% |
系列: | NC SERIES | 尺寸代码: | 0606 |
温度系数: | 45ppm/Cel ppm/ °C | 宽度: | 1.524 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NCEE6800AHNGHWS | VISHAY |
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CAP,SILICON,680PF,2.5% -TOL,2.5% +TOL,45PPM TC | |
NCEM40C120PRE4 | NCEPOWER |
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以先进的IGBT芯片技术为基础,结合高可靠性的封装技术,新洁能推出全新的IGBT功率集成模 | |
NCEM40W120HA34 | NCEPOWER |
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以先进的IGBT芯片技术为基础,结合高可靠性的封装技术,新洁能推出全新的IGBT功率集成模 | |
NCEM50W120HA34 | NCEPOWER |
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以先进的IGBT芯片技术为基础,结合高可靠性的封装技术,新洁能推出全新的IGBT功率集成模 | |
NCEM75W120HA34 | NCEPOWER |
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以先进的IGBT芯片技术为基础,结合高可靠性的封装技术,新洁能推出全新的IGBT功率集成模 | |
NCEP008N30GU | NCEPOWER |
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新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超 | |
NCEP008NH40AGU | NCEPOWER |
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新洁能正在陆续推出第三代屏蔽栅沟槽型功率MOSFET,相比于上一代产品,第三代产品特征导通 | |
NCEP008NH40ASL | NCEPOWER |
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新洁能正在陆续推出第三代屏蔽栅沟槽型功率MOSFET,相比于上一代产品,第三代产品特征导通 | |
NCEP008NH40GU | NCEPOWER |
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新洁能正在陆续推出第三代屏蔽栅沟槽型功率MOSFET,相比于上一代产品,第三代产品特征导通 | |
NCEP0107AR | NCEPOWER |
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新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品,以 |