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NCEP0120Q

更新时间: 2024-11-19 15:19:03
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER /
页数 文件大小 规格书
6页 522K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品,以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性,在降低系统设计难度的同时,提供了性价比。广泛应用于开

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http://www.ncepower.com  
NCEP0120Q  
NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET  
Description  
The NCEP0120Q uses Super Trench technology that is  
General Features  
uniquely optimized to provide the most efficient high  
frequency switching performance. Both conduction and  
VDS =100V,ID =20A  
RDS(ON)=36mΩ (typical) @ VGS=10V  
switching power losses are minimized due to an extremely low Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for  
high-frequency switching and synchronous rectification.  
Very low on-resistance RDS(on)  
150 °C operating temperature  
Pb-free lead plating  
Application  
DC/DC Converter  
Ideal for high-frequency switching and synchronous  
rectification  
100% UIS TESTED!  
100% ΔVds TESTED!  
DFN 3.3X3.3  
Top View  
Bottom View  
Schematic Diagram  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
NCEP0120Q  
NCEP0120Q  
DFN3.3X3.3-8L  
-
-
-
Absolute Maximum Ratings (TC=25unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
100  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
±20  
V
VGS  
20  
14  
A
A
ID  
Drain Current-Continuous(TC=100)  
Pulsed Drain Current  
ID (100)  
IDM  
80  
A
Maximum Power Dissipation  
33  
W
PD  
Derating factor  
0.264  
80  
W/℃  
mJ  
Single pulse avalanche energy (Note 5)  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
EAS  
-55 To 150  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2)  
RθJC  
3.8  
/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V2.0  

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