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NCEP011NH25QU

更新时间： 2024-11-19 15:19:39
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 栅
页数 文件大小 规格书
6页 671K
描述
新洁能正在陆续推出第三代屏蔽栅沟槽型功率MOSFET，相比于上一代产品，第三代产品特征导通电阻降低20%以上，ESD能力、大电流关断能力、短路能力提升10%以上，同时具有更优的EMI特性，可以满足

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NCEP011N25QU  
http://www.ncepower.com  
NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET  
Description  
General Features  
The NCEP011NH25QU uses Super Trench II technology  
that is uniquely optimized to provide the most efficient high  
frequency switching performance. Both conduction and  
switching power losses are minimized due to an extremely low  
combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for  
high-frequency switching and synchronous rectification.  
●VDS =25V,ID =161A  
RDS(ON)=1.1mΩ (typical) @ VGS=10V  
RDS(ON)=1.8mΩ (typical) @ VGS=4.5V  
●Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
●Very low on-resistance RDS(on)  
●150°C operating temperature  
Application  
● Pb-free lead plating  
●DC/DC Converter  
100% UIS TESTED!  
100% ΔVds TESTED!  
●Ideal for high-frequency switching and synchronous  
rectification  
PDFN 3.3X3.3-8L  
Top View  
Bottom View  
Schematic Diagram  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
NCEP011NH25QU NCEP011NH25QU  
PDFN3.3X3.3-8L  
Ø330mm  
12mm  
5000units  
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
25  
±20  
V
V
VGS  
161  
A
ID  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current  
ID (100℃)  
IDM  
102  
A
644  
A
Maximum Power Dissipation  
69  
W
PD  
Derating factor  
0.55  
540  
W/℃  
mJ  
℃
Single pulse avalanche energy (Note 1)  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
EAS  
-55 To 150  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Case  
RθJC  
1.81  
℃/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V1.0  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEP0120Q NCEPOWER

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