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NCEP0107R

更新时间： 2024-11-10 17:01:03
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER /
页数 文件大小 规格书
7页 642K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性，在降低系统设计难度的同时，提供了性价比。广泛应用于开

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http://www.ncepower.com  
NCEP0107R  
NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET  
Description  
The NCEP0107R uses Super Trench technology that is  
uniquely optimized to provide the most efficient high frequency  
switching performance. Both conduction and switching power  
losses are minimized due to an extremely low combination of  
RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency  
switching and synchronous rectification.  
General Features  
● VDS = 100V,ID = 7A  
Schematic diagram  
RDS(ON) < 95mΩ @ VGS=10V (Typ:75mΩ)  
● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
● Very low on-resistance RDS(on)  
● 150 °C operating temperature  
● Pb-free lead plating  
● 100% UIS tested  
Application  
● Power switching application  
● Hard switched and high frequency circuits  
● Uninterruptible power supply  
SOT-223 top view  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
NCEP0107R  
NCEP0107R  
SOT-223-3L  
Ø330mm  
12mm  
2500 units  
Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
100  
V
V
Gate-Source Voltage  
±20  
VGS  
ID  
Drain Current-Continuous  
Drain Current-Pulsed (Note 1)  
7
28  
A
A
IDM  
Single pulse avalanche energy (Note 5)  
Maximum Power Dissipation  
EAS  
20  
mJ  
W
℃
2.5  
PD  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
-55 To 150  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2)  
RθJA  
50  
℃/W  
Electrical Characteristics (TA=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Condition  
Min Typ  
Max  
Unit  
Off Characteristics  
Drain-Source Breakdown Voltage  
BVDSS  
VGS=0V ID=250μA  
100  
-
-
V
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V1.0  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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