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NCEP0107AR

更新时间: 2024-11-07 17:01:27
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新洁能 - NCEPOWER /
页数 文件大小 规格书
7页 296K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品,以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性,在降低系统设计难度的同时,提供了性价比。广泛应用于开

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http://www.ncepower.com  
NCEP0107AR  
NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET  
Description  
The NCEP0107AR uses Super Trench technology that is  
uniquely optimized to provide the most efficient high frequency  
switching performance. Both conduction and switching power  
losses are minimized due to an extremely low combination of  
RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency  
switching and synchronous rectification.  
General Features  
Schematic diagram  
VDS = 100V,ID = 7A  
RDS(ON) < 85m@ VGS=10V (Typ:75m)  
RDS(ON) < 105m@ VGS=4.5V (Typ:85m)  
Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
Very low on-resistance RDS(on)  
150 °C operating temperature  
Pb-free lead plating  
100% UIS tested  
Application  
Power switching application  
Hard switched and high frequency circuits  
Uninterruptible power supply  
SOT-223 top view  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
NCEP0107AR  
NCEP0107AR  
SOT-223-3L  
Ø330mm  
12mm  
2500 units  
Absolute Maximum Ratings (TA=25unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
100  
V
V
Gate-Source Voltage  
±20  
VGS  
Drain Current-Continuous  
Drain Current-Pulsed (Note 1)  
7
28  
A
ID  
A
IDM  
Single pulse avalanche energy (Note 5)  
EAS  
20  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
2.5  
PD  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
-55 To 150  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2)  
RθJA  
50  
/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
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