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NCEP008NH40ASL

更新时间： 2024-11-19 18:09:47
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 栅
页数 文件大小 规格书
6页 685K
描述
新洁能正在陆续推出第三代屏蔽栅沟槽型功率MOSFET，相比于上一代产品，第三代产品特征导通电阻降低20%以上，ESD能力、大电流关断能力、短路能力提升10%以上，同时具有更优的EMI特性，可以满足

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NCEP008NH40ASL  
http://www.ncepower.com  
NCE N-Channel Super Trench III Power MOSFET  
Description  
General Features  
●VDS =40V,ID =397A  
The NCEP008NH40ASL uses Super Trench III technology  
that is uniquely optimized to provide the most efficient high  
frequency switching performance. Both conduction and  
switching power losses are minimized due to an extremely low  
combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for  
high-frequency switching and synchronous rectification.  
RDS(ON)=0.72mΩ (typical) @ VGS=10V  
●Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
●Very low on-resistance RDS(on)  
●175 °C operating temperature  
●Pb-free lead plating  
Application  
● DC/DC Converter  
●100% UIS tested  
●Ideal for high-frequency switching and synchronous  
rectification  
●100% ΔVds tested  
sTOLL  
Top View  
Bottom View  
Schematic Diagram  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
P008NH40ASL  
NCEP008NH40ASL  
sTOLL  
-
-
-
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
40  
±20  
V
V
VGS  
397  
A
ID  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current  
ID (100℃)  
IDM  
280  
A
1588  
270  
A
Maximum Power Dissipation  
W
PD  
Derating factor  
1.8  
W/℃  
mJ  
℃
Single pulse avalanche energy (Note 1)  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
EAS  
1797  
-55 To 175  
TJ,TSTG  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V2.0  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEP008NH40GU NCEPOWER

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 		新洁能正在陆续推出第三代屏蔽栅沟槽型功率MOSFET，相比于上一代产品，第三代产品特征导通
NCEP0107AR NCEPOWER

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