Datasheet > NCEM75W120HA34

NCEM75W120HA34

更新时间： 2024-04-09 19:02:17

品牌	Logo	应用领域
新洁能 - NCEPOWER		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	383K
描述
以先进的IGBT芯片技术为基础，结合高可靠性的封装技术，新洁能推出全新的IGBT功率集成模块（PIM）系列产品。该系列产品包括650V、750V、1200V和1700V系列产品，并搭载了不同系列的

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NCEM75W120HA34 数据手册

NCEM75W120HA34

1200V, 75A, IGBT Module

General Description:

Using NCE's proprietary trench design and advanced FS (Field Stop)

generation technology, the 1200V IGBT Module offers superior conduction and

switching performances, and easy parallel operation.

Electrical Features

⚫ Trench FS Technology Offering

Schematic diagram

⚫ Very low V_CE(sat)

⚫ High speed switching

⚫ Positive temperature coefficient in V_CE(sat)

⚫ Very tight parameter distribution

⚫ High ruggedness, temperature stable behavior

Mechanical Features

⚫ Isolated BasePlate

⚫ Al₂O₃Basic Insulation

Typical Applications

⚫ Welding

Absolute Maximum Ratings (T_C=25°C unless otherwise noted)

Symbol

V_CES

Parameter

Value

1200

±30

Units

Collector-Emitter Voltage

V_GES

Gate- Emitter Voltage

Collector Current @T_C= 25 °C

150

I_C

Collector Current @T_C= 100 °C

I_CRM

Peak Collector Current@ tp=1ms

150

turn off safe operating area，V_CE=1200V，Tj=150°C

Diode Continuous Forward Current @T_C= 100 °C

Diode Maximum Forward Current

225

I_F

37.5

I_FM

112.5

833

Power Dissipation @ T_C= 25°C

°C

P_D

Power Dissipation @T_C= 100 °C

417

T_J,T_stg

T_L

Operating Junction and Storage Temperature Range

Maximum Temperature for Soldering

-55 to +175

260

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page

V1.0

http://www.ncepower.com

12 3 4 5 6 7 8

下载PDF

与NCEM75W120HA34相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NCEP008N30GU	NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超	获取价格
NCEP008NH40AGU	NCEPOWER	新洁能正在陆续推出第三代屏蔽栅沟槽型功率MOSFET，相比于上一代产品，第三代产品特征导通	获取价格
NCEP008NH40GU	NCEPOWER	新洁能正在陆续推出第三代屏蔽栅沟槽型功率MOSFET，相比于上一代产品，第三代产品特征导通	获取价格
NCEP0107AR	NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以	获取价格
NCEP0107R	NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以	获取价格
NCEP0108QU	NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超	获取价格