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NCEP008NH40GU

更新时间： 2024-11-19 15:19:15
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 栅
页数 文件大小 规格书
6页 656K
描述
新洁能正在陆续推出第三代屏蔽栅沟槽型功率MOSFET，相比于上一代产品，第三代产品特征导通电阻降低20%以上，ESD能力、大电流关断能力、短路能力提升10%以上，同时具有更优的EMI特性，可以满足

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http://www.ncepower.com  
NCEP008NH40GU  
NCE N-Channel Super Trench III Power MOSFET  
Description  
General Features  
The NCEP008NH40GU uses Super Trench III technology  
that is uniquely optimized to provide the most efficient high  
frequency switching performance. Both conduction and  
switching power losses are minimized due to an extremely low  
combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for  
high-frequency switching and synchronous rectification.  
●VDS =40V,ID =375A  
RDS(ON)=0.68mΩ (typical) @ VGS=10V  
RDS(ON)=0.95mΩ (typical) @ VGS=4.5V  
●Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
●Very low on-resistance RDS(on)  
●150°C operating temperature  
Application  
● Pb-free lead plating  
●DC/DC Converter  
100% UIS TESTED!  
100% ΔVds TESTED!  
●Ideal for high-frequency switching and synchronous  
rectification  
PDFN 5X6-8L  
Top View  
Bottom View  
Schematic Diagram  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
P008NH40GU  
NCEP008NH40GU  
PDFN5X6-8L  
Ø330mm  
12mm  
5000units  
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
40  
±20  
V
V
VGS  
375  
A
ID  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current  
ID (100℃)  
IDM  
236  
A
1500  
200  
A
Maximum Power Dissipation  
W
PD  
Derating factor  
1.6  
W/℃  
mJ  
℃
Single pulse avalanche energy (Note 1)  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
EAS  
1797  
-55 To 150  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Case  
RθJC  
0.63  
℃/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V2.0  
123456

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