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NCEP0116K

更新时间： 2024-11-19 15:19:43
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER /
页数 文件大小 规格书
8页 372K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性，在降低系统设计难度的同时，提供了性价比。广泛应用于开

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http://www.ncepower.com  
NCEP0116K  
NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET  
Description  
The NCEP0116K uses Super Trench technology that is  
uniquely optimized to provide the most efficient high  
frequency switching performance. Both conduction and  
switching power losses are minimized due to an extremely  
low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for  
high-frequency switching and synchronous rectification.  
Schematic diagram  
General Features  
● VDS =100V,ID =16A  
RDS(ON)=78mΩ (typical) @ VGS=10V  
● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
● Very low on-resistance RDS(on)  
● 175 °C operating temperature  
● Pb-free lead plating  
● 100% UIS tested  
Marking and pin assignment  
Application  
● LED backlighting  
● Ideal for high-frequency switching and synchronous  
rectification  
100% UIS TESTED!  
TO-252 -2Ltop view  
Tape width  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Quantity  
2500 units  
NCEP0116K  
NCEP0116K  
TO-252-2L  
Ø330mm  
12mm  
Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
100  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
V
V
A
VGS  
±20  
ID  
ID (100℃)  
IDM  
16  
11.3  
64  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current  
A
A
Maximum Power Dissipation  
PD  
55  
W
Derating factor  
0.37  
26  
W/℃  
mJ  
Single pulse avalanche energy (Note 5)  
Drain Source voltage slope, VDS ≤120 V,  
Drain Source voltage slope, VDS ≤120 V, ISD<ID  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
EAS  
dv/dt  
dv/dt  
TJ,TSTG  
50  
V/ns  
V/ns  
℃
50  
-55 To 175  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V3.0  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEP011NH25QU NCEPOWER

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 		新洁能正在陆续推出第三代屏蔽栅沟槽型功率MOSFET，相比于上一代产品，第三代产品特征导通
NCEP0120Q NCEPOWER

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 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以
NCEP012N85LL NCEPOWER

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