5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > NCEP015N85LL
NCEP015N85LL PDF预览

NCEP015N85LL

更新时间： 2024-09-19 17:02:07
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 栅栅极
页数 文件大小 规格书
7页 762K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超低的导通电阻（RDS(on)）与超低栅极电荷（Qg）的特点，结合先进轻巧紧凑的封装进一步提高了系统的功率密

阅读下载

中文翻译

获取价格

NCEP015N85LL 数据手册

 浏览型号NCEP015N85LL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NCEP015N85LL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NCEP015N85LL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NCEP015N85LL的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NCEP015N85LL的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NCEP015N85LL的Datasheet PDF文件第7页 
NCEP015N85LL  
NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET  
Description  
General Features  
The series of devices uses Super Trench II technology that is  
uniquely optimized to provide the most efficient high frequency  
switching performance. Both conduction and switching power  
losses are minimized due to an extremely low combination of  
RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching  
and synchronous rectification.  
● VDS =85V,ID =370A  
RDS(ON)=1.1mΩ , typical@ VGS=10V  
● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
● Very low on-resistance RDS(on)  
● 175 °C operating temperature  
● Pb-free lead plating  
Application  
100% UIS TESTED!  
● DC/DC Converter  
100% ΔVds TESTED!  
●Ideal for high-frequency switching and synchronous  
rectification  
TOLL-8L  
Schematic Diagram  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
NCEP015N85LL  
NCEP015N85LL  
TOLL-8L  
Ø330mm  
24mm  
2000 units  
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
85  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
V
V
±20  
VGS  
370  
280  
A
ID  
ID (100℃)  
IDM  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current  
A
1480  
480  
A
Maximum Power Dissipation  
W
PD  
Derating factor  
3.2  
W/℃  
mJ  
℃
Single pulse avalanche energy (Note 1)  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
EAS  
3318  
-55 To 175  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Case  
Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 4)  
RθJC  
RθJA  
0.31  
40  
℃/W  
℃/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
http://www.ncepower.com  
V1.0  
1234567

中文翻译

下载PDF

与NCEP015N85LL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEP0160 NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以
NCEP0160A NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以
NCEP0160AG NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以
NCEP0160F NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以
NCEP0160G NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以
NCEP016N10LL NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超
NCEP016N60VD NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超
NCEP016N85LL NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超
NCEP0178 NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以
NCEP0178A NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以

与NCEP015N85LL相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证