型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NCEM40W120HA34 | NCEPOWER |
获取价格 |
以先进的IGBT芯片技术为基础,结合高可靠性的封装技术,新洁能推出全新的IGBT功率集成模 | |
NCEM50W120HA34 | NCEPOWER |
获取价格 |
以先进的IGBT芯片技术为基础,结合高可靠性的封装技术,新洁能推出全新的IGBT功率集成模 | |
NCEM75W120HA34 | NCEPOWER |
获取价格 |
以先进的IGBT芯片技术为基础,结合高可靠性的封装技术,新洁能推出全新的IGBT功率集成模 | |
NCEP008N30GU | NCEPOWER |
获取价格 |
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超 | |
NCEP008NH40AGU | NCEPOWER |
获取价格 |
新洁能正在陆续推出第三代屏蔽栅沟槽型功率MOSFET,相比于上一代产品,第三代产品特征导通 | |
NCEP008NH40ASL | NCEPOWER |
获取价格 |
新洁能正在陆续推出第三代屏蔽栅沟槽型功率MOSFET,相比于上一代产品,第三代产品特征导通 | |
NCEP008NH40GU | NCEPOWER |
获取价格 |
新洁能正在陆续推出第三代屏蔽栅沟槽型功率MOSFET,相比于上一代产品,第三代产品特征导通 | |
NCEP0107AR | NCEPOWER |
获取价格 |
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品,以 | |
NCEP0107R | NCEPOWER |
获取价格 |
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品,以 | |
NCEP0108QU | NCEPOWER |
获取价格 |
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超 |