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NCEM50W120HA34

更新时间： 2024-11-19 15:18:23
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 383K
描述
以先进的IGBT芯片技术为基础，结合高可靠性的封装技术，新洁能推出全新的IGBT功率集成模块（PIM）系列产品。该系列产品包括650V、750V、1200V和1700V系列产品，并搭载了不同系列的

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NCEM50W120HA34  
1200V, 50A, IGBT Module  
General Description  
Using NCE's proprietary trench design and advanced FS (Field Stop)  
generation technology, the 1200V IGBT Module offers superior conduction and  
switching performances, and easy parallel operation.  
Electrical Features  
⚫ Trench FS Technology Offering  
Schematic diagram  
⚫ Very low VCE(sat)  
⚫ High speed switching  
⚫ Positive temperature coefficient in VCE(sat)  
⚫ Very tight parameter distribution  
⚫ High ruggedness, temperature stable behavior  
Mechanical Features  
⚫ Isolated BasePlate  
⚫ Al2O3 Basic Insulation  
Typical Applications  
⚫ Welding  
Absolute Maximum Ratings (TC=25°C unless otherwise noted)  
Symbol  
VCES  
Parameter  
Value  
1200  
±30  
Units  
V
Collector-Emitter Voltage  
VGES  
Gate- Emitter Voltage  
V
Collector Current @TC = 25 °C  
100  
A
IC  
Collector Current @TC = 100 °C  
50  
A
ICRM  
-
Peak Collector Current@ tp=1ms  
100  
A
turn off safe operating area，VCE=1200V，Tj=150°C  
Diode Continuous Forward Current @TC = 100 °C  
Diode Maximum Forward Current  
150  
A
IF  
25  
A
IFM  
75  
A
Power Dissipation @TC = 25°C  
535  
W
W
°C  
°C  
PD  
Power Dissipation @TC = 100 °C  
268  
TJ,Tstg  
TL  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Maximum Temperature for Soldering  
-55 to +175  
260  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page  
V1.0  
1
http://www.ncepower.com  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEM75W120HA34 NCEPOWER

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 		以先进的IGBT芯片技术为基础，结合高可靠性的封装技术，新洁能推出全新的IGBT功率集成模
NCEP008N30GU NCEPOWER

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 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超
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 		新洁能正在陆续推出第三代屏蔽栅沟槽型功率MOSFET，相比于上一代产品，第三代产品特征导通
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