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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.9 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 1000 V | 最大漏极电流 (ID)： | 5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 3 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 200 pF | JEDEC-95代码： | TO-204AA |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 150 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 17 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 700 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 320 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTM5N35 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V |
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| MTM5N35 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 950V 5A |
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| MTM5N40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V |
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| MTM5N40 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 950V 5A |
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| MTM5N95 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 950V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| MTM5P18 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 180V, 1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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| MTM5P20 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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| MTM5P25 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| MTM60N05 | NJSEMI |
获取价格 |
SMALL |
|
| MTM60N06 | MOTOROLA |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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