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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 900 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4 A | 最大漏源导通电阻： | 4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 60 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-204AA | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 125 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 18 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 325 ns | 最大开启时间（吨）： | 80 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTM50N05 | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS IV POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
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| MTM50N05E | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS IV POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
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| MTM55N08 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 80V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| MTM55N08 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 950V 5A |
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| MTM55N10 | MOTOROLA |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| MTM55N10 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 950V 5A |
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| MTM5N100 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1000V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| MTM5N35 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V |
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| MTM5N35 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 950V 5A |
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| MTM5N40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V |
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