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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTM50N05E | MOTOROLA |
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TMOS IV POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
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| MTM55N08 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 80V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| MTM55N08 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 950V 5A |
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| MTM55N10 | MOTOROLA |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| MTM55N10 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 950V 5A |
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| MTM5N100 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1000V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| MTM5N35 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V |
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| MTM5N35 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 950V 5A |
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| MTM5N40 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V |
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| MTM5N40 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 950V 5A |
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