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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.9 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 150 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 45 A | 最大漏极电流 (ID)： | 45 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.06 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 500 pF | JEDEC-95代码： | TO-204AE |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 250 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 225 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 650 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 360 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTM4N45 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 450V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| MTM4N45 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 450V 4A |
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| MTM4N50 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| MTM4N50 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 500V 4A |
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| MTM4N90 | MOTOROLA |
获取价格 |
4A, 900V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| MTM50N05 | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS IV POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
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| MTM50N05E | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS IV POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
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| MTM55N08 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 80V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| MTM55N08 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 950V 5A |
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| MTM55N10 | MOTOROLA |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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