是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.88 |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 50 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 45 A |
最大漏极电流 (ID): | 45 A | 最大漏源导通电阻: | 0.035 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 400 pF |
JEDEC-95代码: | TO-204AE | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 125 W | 最大功率耗散 (Abs): | 125 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 145 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 95 ns | 最大开启时间(吨): | 85 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MTM45N15 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 150V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
MTM45N15 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 50V 45A | |
MTM4N45 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 450V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
MTM4N45 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 450V 4A | |
MTM4N50 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
MTM4N50 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 500V 4A | |
MTM4N90 | MOTOROLA |
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4A, 900V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | |
MTM50N05 | MOTOROLA |
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TMOS IV POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS | |
MTM50N05E | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS IV POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS | |
MTM55N08 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 80V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |