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MT3S105FS

更新时间： 2024-11-29 19:55:55

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	107K
描述
TRANSISTOR UHF BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1E1A, 3 PIN, BIP RF Small Signal

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MT3S105FS 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.025 A
基于收集器的最大容量：	0.9 pF	集电极-发射极最大电压：	4.5 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON GERMANIUM	标称过渡频率 (fT)：	12500 MHz
Base Number Matches：	1

MT3S105FS 数据手册

MT3S105FS

TOSHIBA TRANSISTOR SILICON-GERMANIUM NPN EPITAXIAL PLANER TYPE

MT3S105FS

VCO OSCILLETOR STAGE

Unit:mm

VHF-UHF Low Noise Amplifier Application

1.0±0.05

0.8±0.05

FEATURES

•

Low Noise Figure :NF=0.8dB (@f=2GHz)

High Gain:|S21e|²=11dB (@f=2GHz)

0.1±0.05

Marking

4 0

Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

1.BASE

2.EMITTER

3.COLLECTOR

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Collector-Base voltage

Collector-Emitter voltage

Emitter-Base voltage

Collector-Current

CBO

CEO

EBO

4.5

fSM

1.5

JEDEC

JEITA

°C

TOSHIBA

2-1E1A

Base-Current

12.5

100

Weight: 0.0006 g

Collector Power dissipation

Junction temperature

P (Note)

150

Storage temperature Range

stg

−55~150

Note: Device mounted on a glass-epoxy PCB(0.88 cm²x 0.7 mm (t))

2003-10-22

12 3 4

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