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MSC80196

更新时间： 2024-09-13 22:51:07

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管射频微波放大器局域网
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描述
RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE LINEAR APPLICATIONS

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MSC80196 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CXFM-F2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.31	外壳连接：	EMITTER
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	基于收集器的最大容量：	5 pF
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	O-CXFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	UNSPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	3200 MHz
Base Number Matches：	1

MSC80196 数据手册

MSC80196

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

GENERAL PURPOSE LINEAR APPLICATIONS

EMITTER BALLASTED

CLASS A LINEAR OPERATION

COMMON EMITTER

VSWR CAPABILITY 15:1 @ RATED

CONDITIONS

ft 3.2 GHz TYPICAL

NOISE FIGURE 12.5 dB @ 2 GHz

.250 2LFL (S011)

P_OUT

30.0 dBm MIN.

hermetically sealed

ORDER CODE

MSC80196

BRANDING

80196

PIN CONNECTION

DESCRIPTION

The MSC80196 is a hermetically sealed NPN

power transistor featuring a unique matrixstructure.

This device is specifically designed for Class A

linear applications to provide high gain and high

output power at the 1.0 dB compression point.

1. Collector

2. Emitter

3. Base

4. Emitter

= 25 C)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

case

Symbol

P_DISS

I_C

Parameter

Value

—

Unit

Power Dissipation

(see Safe Area)

Device Bias Current

500

V_CE

Collector-Emitter Bias Voltage*

Junction Temperature

T_J

200

T_STG

Storage Temperature

65 to +200

−

THERMAL DATA

C/W

R_TH(j-c)

Junction-Case Thermal Resistance*

*Applies only to rated RF amplifier operation

1/6

October 1992

12 3 4 5 6

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