MSC80914

更新时间： 2024-11-05 04:14:35

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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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MSC80914 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.78
Is Samacsys：	N	外壳连接：	BASE
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	基于收集器的最大容量：	3.5 pF
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	15
最高频带：	S BAND	JESD-30 代码：	O-CRFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	7 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MSC80914 数据手册

MSC80914

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE .250 2L FLG

The ASI MSC80914 is Designed for

Class C, Common Base General

Purpose Applications to 2.3 GHz.

ØD

.060 x 45°

CHAMFER

FEATURES INCLUDE:

• Gold Metalization

• Site Emitter Ballasting

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

MAXIMUM RATINGS

.028 / 0.71

.740 / 18.80

.245 / 6.22

.128 / 3.25

.032 / 0.81

200 mA

I_C

V_CC

P_DISS

T_J

.255 / 6.48

.132 / 3.35

.125 / 3.18

.117 / 2.97

35 V

.110 / 2.79

.117 / 2.97

7.0 W @ T_C= 25 ^OC

-55 ^OC to +200 ^OC

20 ^OC/W

.560 / 14.22

.790 / 20.07

.225 / 5.72

.165 / 4.19

.003 / 0.08

.058 / 1.47

.119 / 3.02

.149 / 3.78

.570 / 14.48

.810 / 20.57

.235 / 5.97

.185 / 4.70

.007 / 0.18

.068 / 1.73

.135 / 3.43

.187 / 4.75

T_STG

θ_JC

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 ^O

SYMBOL

BV_CBO

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 1.0 mA

I_C= 5.0 mA

I_E= 1.0 mA

V_CB= 28 V

V_CE= 5.0 V

BV_CER

BV_EBO

I_CBO

R_BE= 10 Ω

3.5

0.5

---

h_FE

I_C= 100 mA

150

C_ob

V_CB= 28 V

f = 1.0 MHz

fo = 2.0 GHz

3.0

3.5

P_out

1.0

7.0

1.25

8.0

V_CC= 28 V

P_in= 200 mW

P_G

η_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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