MSC80614

更新时间： 2024-09-15 12:20:03

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描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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MSC80614 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.65	Is Samacsys：	N
外壳连接：	BASE	最大集电极电流 (IC)：	0.25 A
配置：	SINGLE	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	O-CRFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MSC80614 数据手册

MSC80614

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

PACKAGE STYLE .280 2L FLG

DESCRIPTION:

The ASI MSC80614 is designed for

Class C, DME/TACAN Applications up

to 1150 MHz.

FEATURES INCLUDE:

• Omnigold^TMMetalization system

• Input Matching network

• Emitter Ballasting

MAXIMUM RATINGS

250 mA

37 V

I_C

V_CC

P_DISS

T_J

10 W @ T_C≤ 100 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

10 °C/W

T_STG

θ_JC

1 = COLLECTOR

2 = BASE

3 = EMITTER

CHARACTERISTICS ^T_C^{= 25 °C}

SYMBOL

BV_CBO

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 10 mA

I_C= 5.0 mA

I_E= 1.0 mA

V_CE= 35 V

BV_CER

BV_EBO

I_CES

R_BE= 10 Ω

3.5

1.0

---

h_FE

V_CE= 5.0 V

I_C= 100 mA

300

P_G

P_IN

η_C

9.0

0.25

V_CC= 35 V

PULSE WIDTH = 10 µS

P_OUT= 2.0 W f = 1025 to 1150 MHz

DUTY CYCLE = 1.0%

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. C

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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