MSC81010

更新时间： 2024-11-04 22:51:07

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体放大器射频双极晶体管微波
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描述
RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS

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MSC81010 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.57	Is Samacsys：	N
外壳连接：	BASE	最大集电极电流 (IC)：	1 A
基于收集器的最大容量：	10 pF	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	O-CRPM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	29 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MSC81010 数据手册

MSC81010

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS

EMITTER BALLASTED

VSWR CAPABILITY :1 @ RATED

∞

CONDITIONS

HERMETIC STRIPAC PACKAGE

P_OUT

@ 1 GHz

10 W MIN. WITH 10 dB GAIN

.230 2L STUD (S016)

hermetically sealed

ORDER CODE

BRANDING

81010

MSC81010

PIN CONNECTION

DESCRIPTION

The MSC81010 is a common base hermetically

sealed silicon NPN microwave transistor utilizing

a fishbone, emitter ballasted geometry with a re-

fractory/gold metallization system. This device is

capable of withstanding infinite load VSWR at any

phase angle under rated conditions.

1. Collector

2. Base

3. Emitter

The MSC81010 is designed for Class C amplifier

applications in the 0.4 - 1.2 GHz frequency range.

= 25 C)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

case

Symbol

P_DISS

I_C

Parameter

Value

Unit

Power Dissipation*

Device Current*

1.0

V_CC

T_J

Collector-Supply Voltage*

Junction Temperature

Storage Temperature

200

T_STG

− 65 to +200

THERMAL DATA

C/W

R_TH(j-c)

Junction-Case Thermal Resistance*

6.0

*Applies only to rated RF amplifier operation

1/5

October 1992

12 3 4 5

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