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MSC81020

更新时间： 2024-09-14 22:51:07

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体放大器晶体管射频微波
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5页	92K
描述
RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS

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MSC81020 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.09	外壳连接：	BASE
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	基于收集器的最大容量：	19 pF
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	15
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	O-CRPM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	35 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MSC81020 数据手册

MSC81020

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS

EMITTER BALLASTED

REFRACTORY/GOLD METALLIZATION

LOW THERMAL RESISTANCE

HERMETIC STRIPAC PACKAGE

P_OUT

@ 1 GHz

20 W MIN. WITH 10 dB GAIN

.230 2L STUD (S016)

hermetically sealed

ORDER CODE

BRANDING

81020

MSC81020

PIN CONNECTION

DESCRIPTION

The MSC81020 is a common base hermetically

sealed silicon NPN microwave tranisitor utilizing

a fishbone emitter ballasted geometry with a re-

fractory/gold metallization system. This device is

designed for Class C amplifier applications in the

0.4 - 1.2 GHz frequency range.

1. Collector

2. Base

3. Emitter

= 25 C)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

case

Symbol

P_DISS

I_C

Parameter

Value

Unit

Power Dissipation*

Device Current*

1.50

V_CC

T_J

Collector-Supply Voltage*

Junction Temperature

Storage Temperature

200

T_STG

− 65 to +200

THERMAL DATA

C/W

R_TH(j-c)

Junction-Case Thermal Resistance*

5.0

*Applies only to rated RF amplifier operation

1/5

October 1992

12 3 4 5

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