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MSC80917

更新时间： 2024-09-14 21:53:39

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ASI		晶体晶体管射频微波
页数	文件大小	规格书
1页	81K
描述
NPN SILICON RF MICROWAVE TRANSISTOR

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MSC80917 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.78
外壳连接：	BASE	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	O-CRFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	7.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MSC80917 数据手册

MSC80917

NPN SILICON RF MICROWAVE TRANSISTOR

PACKAGE STYLE .280 2L FL (B)

DESCRIPTION:

The ASI MSC80917 is low level

Class-C, Common Base Device

Designed for IFF, DME driver

Applications.

FEATURES INCLUDE:

• Omnigold™ Metalization System

• P_OUT4.0 W Min.

• G_P= 10 dB

MAXIMUM RATINGS

1.0 A

37 V

I_C

V_CE

P_DISS

T_J

7.5 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

35 °C/W

T_STG

θ_JC

1 = COLLECTOR

2 = BASE

3 = EMITTER

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CBO

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 1.0 mA

I_C= 5.0 mA

I_E= 1.0 mA

V_CE= 35 V

V_CE= 5.0 V

BV_CEO

BV_EBO

I_CES

3.5

1.0

h_FE

I_C= 100 mA

120

G_P

P_OUT

4.0

_CE= 35 V

P_IN= 400 mW f = 1025 to 1150 MHz

PULSE WIDTH = 10 µS

DUTY CYCLE = 1.0%

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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