MSC80185

更新时间： 2024-11-13 22:45:55

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管微波放大器
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描述
RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE LINEAR APPLICATIONS

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MSC80185 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.3 A
基于收集器的最大容量：	3 pF	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	15
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	O-CRPM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	3200 MHz	Base Number Matches：	1

MSC80185 数据手册

MSC80185

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

GENERAL PURPOSE LINEAR APPLICATIONS

EMITTER BALLASTED

CLASS A LINEAR OPERATION

COMMON EMITTER

VSWR CAPABILITY 20:1 @ RATED

CONDITIONS

ft 3.2 GHz TYPICAL

NOISE FIGURE 12.0 dB @ 2 GHz

.230 4L STUD (S027)

P_OUT

28 dBm MIN. @ 2.0 GHz

hermetically sealed

ORDER CODE

BRANDING

80185

MSC80185

PIN CONNECTION

DESCRIPTION

The MSC80185 is a hermetically sealed NPN

power transistor featuring a unique matrixstructure.

This device is specifically designed for Class A

linear applications to provide high gain and high

output power at the 1.0 dB compression point.

1. Collector

2. Emitter

3. Base

4. Emitter

= 25 C)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

case

Symbol

P_DISS

I_C

Parameter

Value

—

Unit

Power Dissipation

(see Safe Area)

Device Bias Current

300

V_CE

Collector-Emitter Bias Voltage*

Junction Temperature

T_J

200

T_STG

Storage Temperature

65 to +200

−

THERMAL DATA

C/W

R_TH(j-c)

Junction-Case Thermal Resistance*

*Applies only to rated RF amplifier operation

1/6

October 1992

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