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MRF9120R3

更新时间： 2024-11-14 22:31:39
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摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率场效应晶体管射频放大器局域网
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描述
RF Power Field Effect Transistors

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MRF9120R3 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.15外壳连接：SOURCE
配置：COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS最小漏源击穿电压：65 V
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F4元件数量：2
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：200 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：250 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MRF9120R3 数据手册

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MOTOROLA  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Freescale Semiconductor, Inc.  
Order this document  
by MRF9120/D  
The RF MOSFET Line  
RF Power Field Effect Transistors  
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs  
Designed for broadband commercial and industrial applications with frequen-  
cies from 865 to 895 MHz. The high gain and broadband performance of these  
devices make them ideal for large-signal, common source amplifier applications  
in 26 volt base station equipment.  
MRF9120R3  
MRF9120LR3  
• Typical CDMA Performance @ 880 MHz, 26 Volts, IDQ = 2 x 500 mA  
IS-97 CDMA Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13  
Output Power — 26 Watts  
880 MHz, 120 W, 26 V  
LATERAL N-CHANNEL  
RF POWER MOSFETs  
Power Gain — 16 dB  
Efficiency — 26%  
Adjacent Channel Power —  
750 kHz: -45 dBc @ 30 kHz BW  
1.98 MHz: -60 dBc @ 30 kHz BW  
• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 880 MHz, 120 Watts (CW)  
Output Power  
• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters  
• Integrated ESD Protection  
CASE 375B-04, STYLE 1  
NI-860  
• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness  
• Excellent Thermal Stability  
• Available with Low Gold Plating Thickness on Leads. L Suffix Indicates  
40µ″ Nominal.  
• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
- 0.5, +65  
- 0.5, +15  
DSS  
V
GS  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
250  
1.43  
W
W/°C  
C
D
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
T
- 65 to +150  
200  
°C  
°C  
stg  
T
J
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Symbol  
Value (1)  
Unit  
R
θ
JC  
0.45  
°C/W  
ESD PROTECTION CHARACTERISTICS  
Test Conditions  
Class  
Human Body Model  
1 (Minimum)  
M1 (Minimum)  
Machine Model  
(1) MTTF calculator available at http://www.motorola.com/semiconductors/rf. Select Tools/Software/Application Software/Calculators to  
access the MTTF calculators by product.  
NOTE - CAUTION - MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and  
packaging MOS devices should be observed.  
Rev. 7  
Motorola, Inc. 2004  
For More Information On This Product,  
Go to: www.freescale.com  
 
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