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MRF9200LR3

更新时间： 2024-01-28 03:09:17

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飞思卡尔 - FREESCALE		晶体晶体管放大器局域网
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12页	324K
描述
N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFETs

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MRF9200LR3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	NI-880, CASE 465B-03, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	5A991
HTS代码：	8542.31.00.01	风险等级：	5.69
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	625 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF9200LR3 数据手册

MRF9200L

Rev. 1, 12/2004

Freescale Semiconductor

Technical Data

RF Power Field Effect Transistors

N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFETs

MRF9200LR3

MRF9200LSR3

Designed for broadband commercial and industrial applications with

frequencies to 1000 MHz. The high gain and broadband performance of these

devices make them ideal for large−signal, common−source amplifier applica-

tions in 26 volt base station equipment.

• Typical Single−Carrier N−CDMA Performance @ 880 MHz: V_DD= 26 Volts,

I_DQ= 2400 mA, P_out= 40 Watts Avg., IS−95 CDMA (Pilot, Sync, Paging,

Traffic Codes 8 Through 13). Channel Bandwidth = 1.2288 MHz. Peak/

Avg. Ratio = 9.8 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Power Gain — 17.5 dB

880 MHz, 40 W AVG., 26 V

SINGLE N−CDMA

LATERAL N−CHANNEL

RF POWER MOSFETs

Drain Efficiency — 25%

ACPR @ 750 kHz Offset — −46.5 dBc @ 30 kHz Bandwidth

• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 880 MHz, 40 Watts N−CDMA

Output Power

• Characterized with Series Equivalent Large−Signal Impedance Parameters

• Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use

• Integrated ESD Protection

• Low Gold Plating Thickness on Leads, 40µ″ Nominal.

• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

CASE 465B−03, STYLE 1

NI−880

MRF9200LR3

CASE 465C−02, STYLE 1

NI−880S

MRF9200LSR3

Table 1. Maximum Ratings

Rating

Symbol

Value

Unit

Drain−Source Voltage

Gate−Source Voltage

−0.5, +65

−0.5, +15

Vdc

DSS

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

625

3.6

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

−65 to +150

°C

stg

200

CW Operation

Case Temperature 60°C

Case Temperature 80°C

200

160

Table 2. Thermal Characteristics

(1,2)

Characteristic

Symbol

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

Case Temperature 60°C, 200 W CW

Case Temperature 80°C, 40 W CW

°C/W

0.28

0.34

1. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Tools/Software/Application Software/Calculators to

access the MTTF calculators by product.

2. Refer to AN1955/D, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.

Select Documentation/Application Notes − AN1955.

NOTE − CAUTION − MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

MRF9200LR3 MRF9200LSR3

Freescale Semiconductor

Wireless RF Product Device Data

5−1

12 3 4 5 6 7...12

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与MRF9200LR3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF9200LR3_06	FREESCALE	获取价格	880 MHz, 40 W AVG. 26 V SINGLE N-CDMA N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF9200LSR3	FREESCALE	获取价格	N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFETs
MRF9210	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistor
MRF9210R	NXP	获取价格	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, NI-860C3, CASE 375G-04, 4 PIN
MRF9210R3	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistor
MRF927T1	MOTOROLA	获取价格	LOW NOISE HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
MRF927T3	MOTOROLA	获取价格	LOW NOISE HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
MRF9331	MOTOROLA	获取价格	Transistor
MRF9331L	MOTOROLA	获取价格	UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MRF9331LT3	MOTOROLA	获取价格	UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CASE 318A-05, 4 PIN

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