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MRF927T1

更新时间： 2024-09-30 22:51:07
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摩托罗拉 - MOTOROLA /
页数 文件大小 规格书
12页 168K
描述
LOW NOISE HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

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MRF927T1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.91
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.01 A
集电极-发射极最大电压：10 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50最高频带：L BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：0.1 W最大功率耗散 (Abs)：0.1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：8000 MHz
Base Number Matches：1

MRF927T1 数据手册

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by MRF927T1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Small Signal Line  
I
= 10 mA  
C
Designed for use in low voltage, low current applications at frequencies to  
2.0 GHz. Specifically aimed at portable communication devices such as  
pagers and hand–held phones.  
LOW NOISE  
HIGH FREQUENCY  
TRANSISTOR  
•
•
•
High Gain (G  
15 dB Typ @ 1.0 GHz) @ 1.0 mA  
Umax  
Small, Surface–Mount Package (SC–70)  
High Current Gain–Bandwidth Product at Low Current,  
Low Voltage (f = 8.0 GHz Typ @ 3.0 V, 5.0 mA)  
τ
•
Available in Tape and Reel by Adding T1 or T3 Suffix to Part Number.  
T1 Suffix = 3,000 Units per 8 mm, 7 inch Reel.  
T3 Suffix = 10,000 Units per 8 mm, 7 inch Reel.  
CASE 419–02, STYLE 3  
(SC–70/SOT–323)  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
10  
Unit  
Vdc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
20  
Vdc  
2.5  
10  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 50°C  
Derate above 50°C  
P
D
100  
1.0  
mW  
mW/°C  
C
Storage Temperature Range  
Operating Temperature Range  
T
– 55 to +150  
150  
°C  
°C  
stg  
T
J
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction–to–Case  
Symbol  
Value  
Unit  
R
1000  
°C/W  
θJC  
DEVICE MARKING  
MRF927T1 = F  
REV 1  
Motorola, Inc. 1997  
1234567...12

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