MRF951

更新时间： 2024-11-14 22:31:39

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美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管微波放大器
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描述
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

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MRF951 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	MACRO-X-4	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.37	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	1 pF	集电极-发射极最大电压：	10 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CRDB-F4
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.475 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	8000 MHz
Base Number Matches：	1

MRF951 数据手册

140 COMMERCE DRIVE

MONTGOMERYVILLE, PA

18936-1013

PHONE: (215) 631-9840

FAX: (215) 631-9855

MRF951

RF & MICROWAVE DISCRETE

LOW POWER TRANSISTORS

Features

Fully Implanted Base and Emitter Structure.

High Gain, Gain at Optimum Noise Figure = 14 dB @ 1 GHz

Low Noise Figure – 1.3dB @ 1GHz

Ftau - 8.0 GHz @ 6v, 30mA

Macro X

Cost Effective Macro X Package

DESCRIPTION: Designed for use in high gain, low noise small-signal amplifiers.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Unit

Vdc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

1.5

100

Thermal Data

Total Device Dissipation @ TC = 75ºC

Storage Junction Temperature Range

.475

Watts

Tstg

-65 to +150

150

ºC

Maximum Junction Temperature

T_Jmax

ºC

MSC1326.PDF 10-25-99

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