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MRF959T1

更新时间： 2024-09-30 22:17:47
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 175K
描述
LOW NOISE TRANSISTORS

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MRF959T1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-90包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.92
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：10 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：75最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：9000 MHz
Base Number Matches：1

MRF959T1 数据手册

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by MRF959T1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Line  
Motorola’s MRF959 is a high performance silicon NPN transistor designed for  
use in high gain, low noise small–signal amplifiers. The MRF959 is well suited  
for low voltage applications. This device features a 9 GHz DC current  
gain–bandwidth product with excellent linearity.  
I
= 100 mA  
LOW NOISE  
Cmax  
TRANSISTORS  
•
•
•
•
•
•
Low Noise Figure, NF  
= 1.3 dB (Typ) @ 1 GHz @ 5 mA  
min  
High Current Gain–Bandwidth Product, f = 9 GHz @ 30 mA  
t
Maximum Available Gain, MAG = 17 dB (Typ) @ 1 GHz @ 15 mA  
Output Third Order Intercept, OIP = +30 dBm @ 1 GHz @ 30 mA  
3
Fully Ion–Implanted with Gold Metallization and Nitride Passivation  
Available in Tape and Reel Packaging Options:  
T1 Suffix = 3,000 Units per Reel  
CASE 463–01, STYLE 1  
(SC–90)  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
10  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
20  
1.5  
Power Dissipation (1) T = 75°C  
P
Dmax  
0.150  
2
Watts  
mW/°C  
C
Derate linearly above T = 75°C @  
C
Collector Current — Continuous (2)  
Maximum Junction Temperature  
Storage Temperature  
I
100  
150  
mA  
°C  
C
T
Jmax  
T
stg  
–55 to +150  
500  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Case  
DEVICE MARKINGS  
R
°C/W  
θJC  
MRF959T1 = V1  
(1) To calculate the junction temperature use T = (P x R  
θJC  
) + T . The case temperature is measured on collector lead adjacent to the package  
C
J
D
body.  
(2) I — Continuous (MTBF > 10 years).  
C
Motorola, Inc. 1997  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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