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MRF947RT3

更新时间: 2024-11-15 14:53:55
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
17页 534K
描述
L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

MRF947RT3 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.78
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.05 A
集电极-发射极最大电压:10 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):50最高频带:L BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:0.188 W最大功率耗散 (Abs):0.188 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):8000 MHz
Base Number Matches:1

MRF947RT3 数据手册

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