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MRF9411

更新时间： 2024-10-01 14:53:55

品牌	Logo	应用领域
ADPOW		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	102K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, MACRO-X-4

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MRF9411 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	基于收集器的最大容量：	2.75 pF
集电极-发射极最大电压：	16 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CRDB-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF9411 数据手册

MMBR941/MRF9411

NPN SILICON

LOW NOISE, HIGH-FREQUENCY

Features

•

Specified @ 12.5V, 870 MHz characteristics

Output Power = 750 mW

Minimum Gain = 8.0dB

Efficiency 60% Typical

Cost Effective Macro-X package

DESCRIPTION: Designed primarily for wideband large signal stages in

the 800 MHz and UHF frequency ranges.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Value

200

2.5

Unit

Collector Current

P_D

Total Device Dissipation @ TC = 50ºC

T_STG

Storage Junction Temperature Range

-65 to +150

ºC

Thermal Data

Thermal Resistance Junction-Case

R_TH(J-C)

°C/W

053-7015 Rev - 9-2002

12 3

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