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MRF9180R6 PDF预览

MRF9180R6

更新时间： 2024-11-15 14:53:55
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 333K
描述
2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, NI-1230, CASE 375D-04, 4 PIN

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MRF9180R6 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.2外壳连接：SOURCE
配置：COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS最小漏源击穿电压：65 V
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F4元件数量：2
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：200 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：388 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MRF9180R6 数据手册

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MOTOROLA  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
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by MRF9180/D  
The RF Sub-Micron MOSFET Line  
RF Power Field Effect Transistor  
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET  
MRF9180R6  
Designed for broadband commercial and industrial applications with  
frequencies from 865 to 895 MHz. The high gain and broadband performance  
of this device make it ideal for large - signal, common - source amplifier  
applications in 26 volt base station equipment.  
880 MHz, 170 W, 26 V  
LATERAL N-CHANNEL  
RF POWER MOSFET  
• Typical CDMA Performance @ 880 MHz, 26 Volts, IDQ = 2   700 mA  
IS-97 CDMA Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13  
Output Power — 40 Watts  
Power Gain — 17 dB  
Efficiency — 26%  
Adjacent Channel Power -  
750 kHz: -45.0 dBc @ 30 kHz BW  
1.98 MHz: -60.0 dBc @ 30 kHz BW  
• Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use  
• High Gain, High Efficiency and High Linearity  
• Integrated ESD Protection  
CASE 375D-04, STYLE 1  
NI-1230  
• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness  
• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 880 MHz, 170 Watts (CW)  
Output Power  
• Excellent Thermal Stability  
• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters  
• In Tape and Reel. R6 Suffix = 150 Units per 56 mm, 13 inch Reel.  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
65  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
DSS  
V
-0.5, +15  
GS  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
388  
2.22  
Watts  
W/°C  
C
D
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
T
- 65 to +150  
200  
°C  
°C  
stg  
T
J
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Value (1)  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
θ
JC  
0.45  
°C/W  
ESD PROTECTION CHARACTERISTICS  
Test Conditions  
Class  
Human Body Model  
Machine Model  
1 (Minimum)  
M1 (Minimum)  
(1) MTTF calculator available at http://www.motorola.com/semiconductors/rf. Select Tools/Software/Application Software/Calculators to  
access the MTTF calculators by product.  
NOTE - CAUTION - MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and  
packaging MOS devices should be observed.  
REV 8  
Motorola, Inc. 2004  
 
1234567...12

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与MRF9180R6相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MRF9180S MOTOROLA

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 		880 MHz, 170 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs
MRF9200LR3 FREESCALE

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 		N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFETs
MRF9200LR3_06 FREESCALE

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 		880 MHz, 40 W AVG. 26 V SINGLE N-CDMA N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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