MRF9180S

更新时间： 2024-11-14 22:25:19

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体射频场效应晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
12页	341K
描述
880 MHz, 170 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs

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MRF9180S 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLATPACK, R-CDFP-F4
针数：	5	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.2
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS	最小漏源击穿电压：	65 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFP-F4	元件数量：	2
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	388 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF9180S 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

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by MRF9180/D

The RF Sub–Micron MOSFET Line

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N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs

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Designed for broadband commercial and industrial applications with

frequencies from 865 to 895 MHz. The high gain and broadband performance

of these devices make them ideal for large–signal, common–source amplifier

applications in 26 volt base station equipment.

880 MHz, 170 W, 26 V

LATERAL N–CHANNEL

RF POWER MOSFETs

• Typical CDMA Performance @ 880 MHz, 26 Volts, I_DQ= 2 700 mA

IS–97 CDMA Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13

Output Power — 40 Watts

Power Gain — 17 dB

Efficiency — 26%

Adjacent Channel Power –

750 kHz: –45.0 dBc @ 30 kHz BW

1.98 MHz: –60.0 dBc @ 30 kHz BW

• Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

• Integrated ESD Protection

CASE 375D–04, STYLE 1

NI–1230

• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 880 MHz, 170 Watts (CW)

MRF9180

Output Power

• Excellent Thermal Stability

• Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters

CASE 375E–03, STYLE 1

NI–1230S

MRF9180S

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain–Source Voltage

Gate–Source Voltage

DSS

–0.5, +15

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

388

2.22

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

–65 to +200

200

°C

stg

ESD PROTECTION CHARACTERISTICS

Test Conditions

Class

Human Body Model

Machine Model

1 (Minimum)

M1 (Minimum)

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Max

Unit

0.45

°C/W

NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 6

MOTOROLA RF DEVICE DATA

MRF9180 MRF9180S

 Motorola, Inc. 2002

12 3 4 5 6 7...12

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MRF9180S 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MRF9180R6	NXP	功能相似	2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, NI-1230, CASE 375D-0

与MRF9180S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF9200LR3	FREESCALE	获取价格	N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFETs
MRF9200LR3_06	FREESCALE	获取价格	880 MHz, 40 W AVG. 26 V SINGLE N-CDMA N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF9200LSR3	FREESCALE	获取价格	N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFETs
MRF9210	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistor
MRF9210R	NXP	获取价格	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, NI-860C3, CASE 375G-04, 4 PIN
MRF9210R3	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistor
MRF927T1	MOTOROLA	获取价格	LOW NOISE HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
MRF927T3	MOTOROLA	获取价格	LOW NOISE HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
MRF9331	MOTOROLA	获取价格	Transistor
MRF9331L	MOTOROLA	获取价格	UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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