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MRF9135L PDF预览

MRF9135L

更新时间： 2024-11-14 22:51:07
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率场效应晶体管射频
页数 文件大小 规格书
12页 407K
描述
RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

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MRF9135L 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.77外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：65 V
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F2湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：200 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：225
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：298 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MRF9135L 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
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by MRF9135L/D  
The RF Sub–Micron MOSFET Line  
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N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs  
Designed for broadband commercial and industrial applications with  
frequencies from 865 to 895 MHz. The high gain and broadband performance  
of these devices make them ideal for large–signal, common–source amplifier  
applications in 26 volt base station equipment.  
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• Typical N–CDMA Performance @ 880 MHz, 26 Volts, IDQ = 1100 mA  
IS–95 CDMA Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13  
Output Power — 25 Watts Avg.  
880 MHz, 135 W, 26 V  
LATERAL N–CHANNEL  
RF POWER MOSFETs  
Power Gain — 17.8 dB  
Efficiency — 25%  
Adjacent Channel Power —  
750 kHz: –47 dBc @ 30 kHz BW  
• Internally Matched, for Ease of Use  
• High Gain, High Efficiency and High Linearity  
• Integrated ESD Protection  
• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness  
• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 880 MHz, 135 Watts CW  
Output Power  
• Excellent Thermal Stability  
• Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters  
• Available in Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm, 13 inch Reel.  
CASE 465–06, STYLE 1  
NI–780  
MRF9135L  
• Available with Low Gold Plating Thickness on Leads. L Suffix Indicates  
40µ″ Nominal.  
CASE 465A–06, STYLE 1  
NI–780S  
MRF9135LSR3  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Drain–Source Voltage  
Gate–Source Voltage  
V
DSS  
65  
V
GS  
+15, –0.5  
Total Device Dissipation @ T > = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
298  
1.7  
Watts  
W/°C  
C
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
T
–65 to +200  
200  
°C  
°C  
stg  
T
J
ESD PROTECTION CHARACTERISTICS  
Test Conditions  
Class  
Human Body Model  
Machine Model  
1 (Minimum)  
M2 (Minimum)  
C7 (Minimum)  
Charge Device Model  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Symbol  
Max  
Unit  
R
0.6  
°C/W  
θ
JC  
NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and  
packaging MOS devices should be observed.  
REV 1  
Motorola, Inc. 2002  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MRF9135LR3 MOTOROLA

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 		RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF9135LSR3 MOTOROLA

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 		RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF914 MICROSEMI

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MRF914 NJSEMI

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MRF917T1 MOTOROLA

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 		LOW NOISE HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
MRF9180 MOTOROLA

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 		880 MHz, 170 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs
MRF9180 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,65V V(BR)DSS,SOT-262A2VAR
MRF9180R6 MOTOROLA

获取价格

 		2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, NI-1230, CASE 375D-04, 4 PIN
MRF9180R6 NXP

获取价格

 		2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, NI-1230, CASE 375D-0
MRF9180S MOTOROLA

获取价格

 		880 MHz, 170 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs

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