MRF9100R3

更新时间： 2024-11-13 22:31:39

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体射频场效应晶体管 GSM 放大器局域网
页数	文件大小	规格书
12页	394K
描述
GSM/EDGE 900 MHz, 110 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MRF9100R3 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.11	Is Samacsys：	N
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	65 V	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	175 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF9100R3 数据手册

ꢒ ꢓꢎ ꢓ ꢀꢓ ꢔꢕ

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

Order this document

by MRF9100/D

The RF MOSFET Line

ꢀ ꢁ ꢂ ꢃꢄꢅ ꢆ ꢁꢇꢅ ꢈꢉ ꢊ ꢋꢋ ꢅ ꢌꢍ ꢎꢆ ꢏꢐ ꢑ ꢇꢑ ꢍꢃ ꢆ ꢑ

ꢒ

ꢀ

ꢁ

ꢖ

ꢗ

ꢘ

ꢒ

ꢀ

ꢁ

ꢖ

ꢗ

ꢘ

ꢀ

ꢙ

N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs

ꢒꢀ ꢁ ꢖꢗꢘꢘꢚꢀ ꢙ

Designed for GSM and EDGE base station applications with frequencies

from 921 to 960 MHz, the high gain and broadband performance of these

devices make them ideal for large–signal, common source amplifier applica-

tions in 26 volt base station equipment.

• On–Die Integrated Input Match

• Typical Performance @ Full GSM Band, 921 to 960 MHz, 26 Volts

Output Power, P1dB — 110 Watts (Typ)

GSM/EDGE 900 MHz, 110 W, 26 V

LATERAL N–CHANNEL

RF POWER MOSFETs

Power Gain @ P1dB — 16.5 dB (Typ)

Efficiency @ P1dB — 53% (Typ)

• Integrated ESD Protection

• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

• Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 26 Vdc, 921 MHz,

100 Watts (CW) Output Power

• Excellent Thermal Stability

CASE 465–06, STYLE 1

(NI–780)

• Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters

• Available in Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

(MRF9100)

CASE 465A–06, STYLE 1

(NI–780S)

(MRF9100SR3)

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain–Source Voltage

Gate–Source Voltage

DSS

+15, –0.5

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

175

1.0

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

–65 to +200

200

°C

stg

ESD PROTECTION CHARACTERISTICS

Test Conditions

Class

Human Body Model

1 (Minimum)

M3 (Minimum)

C7 (Minimum)

Machine Model

Charge Device Model

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

1.0

°C/W

NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 1

MOTOROLA RF DEVICE DATA

MRF9100 MRF9100R3 MRF9100SR3

 Motorola, Inc. 2002

12 3 4 5 6 7...12

中文翻译

下载PDF

与MRF9100R3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF9100SR3	MOTOROLA	获取价格	GSM/EDGE 900 MHz, 110 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs
MRF911	MOTOROLA	获取价格	L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MRF9120	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF9120LR3	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF9120R3	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF9120R3	NXP	获取价格	2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, NI-860, CASE 375B-04, 4 PIN
MRF9120S	MOTOROLA	获取价格	暂无描述
MRF9130L	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF9130LR3	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF9130LSR3	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistors

与MRF9100R3相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

6
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

3
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

29
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

12

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MRF9100R3

MRF9100R3 技术参数

MRF9100R3 数据手册

与MRF9100R3相关器件

与MRF9100R3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MRF9100R3

MRF9100R3 技术参数

MRF9100R3 数据手册

与MRF9100R3相关器件

与MRF9100R3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？