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MRF581

更新时间： 2024-02-04 00:00:23

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ASI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	35K
描述
NPN SILICON RF TRANSISTOR

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MRF581 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, M238, MACRO-X-4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.36
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.2 A
基于收集器的最大容量：	3 pF	集电极-发射极最大电压：	18 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-PRDB-F4
JESD-609代码：	e1	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	5000 MHz	Base Number Matches：	1

MRF581 数据手册

MRF581

NPN SILICON RF TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE

The MRF581 is Designed for

High current low Power Amplifier

Applications up to 1.0 GHz.

Dim. Are in mm

FEATURES:

• Low Noise Figure

• Low Intermodulation Distortion

• High Gain

• Omnigold™ Metalization System

MAXIMUM RATINGS

I_C

200 mA

36 V

V_CBO

V_CEO

V_EBO

P_DISS

T_J

18 V

2.5 V

2.5 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

T_STG

Leads 1 and 3 = Emitter

2 = Collector

4 = Base

CHARACTERISTICS T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CBO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 1.0 mA

I_E= 100 µA

V_EB= 2.0 V

V_CB= 15 V

V_CE= 5.0 V

BV_CEO

BV_EBO

I_EBO

2.5

100

200

µA

---

I_CBO

h_FE

I_C= 50 mA

I_C= 50

C_cb

G_P

V_CB= 10 V

V_CC= 10 V

f = 1.0 MHz

f = 0.5 GHz

1.4

2.0

15.5

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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MRF581 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MRF581A	MICROSEMI	功能相似	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
BFQ19	NXP	功能相似	NPN 5 GHz wideband transistor
BFQ18A	NXP	功能相似	NPN 4 GHz wideband transistor

与MRF581相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF581_08	MICROSEMI	获取价格	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
MRF5811LT1	MOTOROLA	获取价格	LOW NOISE HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR NPN SILICON
MRF5811MLT1	NJSEMI	获取价格	Bipolar Transistor
MRF5812	MICROSEMI	获取价格	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
MRF5812	ASI	获取价格	NPN SILICON RF MICROWAVE TRANSISTOR
MRF5812	ADPOW	获取价格	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
MRF5812	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 8-Pin SOIC
MRF5812G	ADPOW	获取价格	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
MRF5812MR1	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 8-Pin SOIC
MRF5812R1	MICROSEMI	获取价格	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

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