MRF5812R1

更新时间： 2024-09-26 22:31:31

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美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管微波光电二极管放大器
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描述
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

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MRF5812R1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.16
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	基于收集器的最大容量：	2 pF
集电极-发射极最大电压：	15 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	8
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1.7 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	5000 MHz	Base Number Matches：	1

MRF5812R1 数据手册

140 COMMERCE DRIVE

MONTGOMERYVILLE, PA

18936-1013

PHONE: (215) 631-9840

FAX: (215) 631-9855

MRF5812, R1, R2

RF & MICROWAVE DISCRETE

LOW POWER TRANSISTORS

Features

Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ

Associated Gain = 15.5 dB @ 500 MHz

Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA

Cost Effective SO-8 package

SO-8

R1 suffix–Tape and Reel, 500 units

R2 suffix–Tape and Reel, 2500 units

DESCRIPTION: Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Unit

Vdc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

2.5

200

Thermal Data

Total Device Dissipation @ TC = 25ºC

Derate above 25ºC

1.25

Watts

mW/ ºC

MSC1319.PDF 10-25-99

12 3 4 5

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