MRF5812R1G

更新时间： 2024-01-05 14:38:15

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美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管微波光电二极管放大器
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Transistor

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MRF5812R1G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	50	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1.25 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

MRF5812R1G 数据手册

140 COMMERCE DRIVE

MONTGOMERYVILLE, PA

18936-1013

PHONE: (215) 631-9840

FAX: (215) 631-9855

MRF5812, R1, R2

RF & MICROWAVE DISCRETE

LOW POWER TRANSISTORS

Features

Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ

Associated Gain = 15.5 dB @ 500 MHz

Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA

Cost Effective SO-8 package

SO-8

R1 suffix–Tape and Reel, 500 units

R2 suffix–Tape and Reel, 2500 units

DESCRIPTION: Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Unit

Vdc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

2.5

200

Thermal Data

Total Device Dissipation @ TC = 25ºC

Derate above 25ºC

1.25

Watts

mW/ ºC

MSC1319.PDF 10-25-99

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