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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 8.66 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.4 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 1550 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.2 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MRF5943C | MICROSEMI |
获取价格 |
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
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| MRF5943C | ASI |
获取价格 |
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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| MRF5943C | ADPOW |
获取价格 |
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
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| MRF5943G | MICROSEMI |
获取价格 |
Transistor |
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| MRF5943R1 | MOTOROLA |
获取价格 |
UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| MRF5943R1 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
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| MRF5943R1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Transistor |
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| MRF5943R2 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
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| MRF5943R2G | MICROSEMI |
获取价格 |
Transistor |
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| MRF5AMMO | BEL |
获取价格 |
Electric Fuse, Fast Blow, 5A, 35A (IR), MICRO, |
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