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MRF587

更新时间： 2024-02-25 12:05:10
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飞思卡尔 - FREESCALE 晶体晶体管放大器
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8页 159K
描述
HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR NPN SILICON

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MRF587 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.44
其他特性：LOW NOISE外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：0.2 A基于收集器的最大容量：2.2 pF
集电极-发射极最大电压：17 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：O-CRPM-F4元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：200 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：POST/STUD MOUNT极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：5 W最大功率耗散 (Abs)：5 W
最小功率增益 (Gp)：11 dB认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：FLAT端子位置：RADIAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：5500 MHz

MRF587 数据手册

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by MRF587/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Line  
. . . designed for use in high–gain, low–noise, ultra–linear, tuned and wideband  
amplifiers. Ideal for use in CATV, MATV, and instrumentation applications.  
•
Low Noise Figure —  
NF = 3.0 dB (Typ) @ f = 500 MHz, I = 90 mA  
C
NF = 3.0 dB @ 0.5 GHz  
HIGH–FREQUENCY  
TRANSISTOR  
•
High Power Gain —  
G
= 16.5 dB (Typ) @ f = 500 MHz  
U(max)  
NPN SILICON  
•
•
•
•
Ion Implanted  
All Gold Metal System  
High f — 5.5 GHz  
T
Low Intermodulation Distortion:  
TB = –70 dB  
3
DIN = 125 dB µV  
•
Nichrome Emitter Ballast Resistors  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
17  
Unit  
Vdc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current — Continuous  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
34  
Vdc  
2.5  
Vdc  
I
C
200  
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 50°C  
P
D
5.0  
33  
Watts  
mW/°C  
C
Derate above T = 50°C  
C
Storage Temperature Range  
Junction Temperature  
T
– 65 to +150  
200  
°C  
°C  
stg  
CASE 244A–01, STYLE 1  
T
J
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 5.0 mAdc, I = 0)  
V
V
V
17  
34  
2.5  
—
—
—
—
—
—
—
—
50  
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 1.0 mAdc, I = 0)  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 0, I = 0.1 mAdc)  
Vdc  
C
E
Collector Cutoff Current  
(V = 10 Vdc, I = 0)  
I
µAdc  
CBO  
CB  
E
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain (1)  
(I = 50 mAdc, V  
C CE  
h
FE  
50  
—
200  
—
= 5.0 Vdc)  
NOTE:  
1. 300 µs pulse on Tektronix 576 or equivalent.  
(continued)  
REV 6  
Motorola, Inc. 1994  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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